SP3313 5V/3A,QC3.0

SP3313是斯帕沃半导体有限公司(Segma Power Semiconductor Co.,Ltd)为车载充电器QC3.0快充方案专门定制的一款高输入电压、输出高精度恒压恒流以及支持100%占空比的DC/DC降压芯片，并搭配IP2161快充芯片，形成一款高性价比，高可靠度，功能完备性能卓越的完整快充QC3.0协议解决方案。

  

SP3413

 

特点： 

n 高耐压：输入电压可达36V

n 输出电压、输出限流可设：恒流精度±7%、恒压精度±2%

n 内置功率MOS可持续输出3.5A电流

n 无需外部补偿，外围电路简单

n 可支持100%占空比的车载充电器方案

n 独立的输出电压保护可支持BC1.2和QC2.0/3.0的双路输出

n 开关频率固定为135KHz

n 内置抖频功能可轻松通过EMC测试

n 完整保护措施：短路保护(SCP)，过热保护（OTP），过压保护（OVP）以及欠压保护（UVLO），保护后端用电设备的安全以及系统本身的可靠性

n 高可靠性：SP3313在保障自身安全稳定工作的同时，还充分考虑了由于生产因素、异常使用因素、特殊环境因素等引起的一系列特殊情況下对后端用电设备的保护，是真正的高可靠性解決方案。

  

芯片引脚：

 

                                                        

 

 

 

PIN	NAME	DESCRIPTION
1	VFB	Feed Back Of Output Voltage
2	GND	Ground
3	SW	Positive Of Current Sense Power Switching Output to External Inductor
4	NC	NC
5	VIN	Power Supply Input. Bypass this pin with a 2.2μF ceramic capacitor to GND, placed as close to the IC as possible.
6	BS	Power to the internal high-side MOSFET gate driver. Connect a 22~100nF capacitor from BS pin to VIN pin
7	CSP	Positive Of Current Sense
8	CSN	Negative Of Current Sense

 

主要参数设定:

n 输出电压设定：

                             V_OUT=(R3/R4+1)*V_FB

n OCP限流点设定：

                           

n 线损补偿设定：

                     

Schematic：

PCB Layout:

EMI对策：

对于部分EMI要求较严苛的应用，开关的杂讯会造成杂讯超量，在这种情況下可以在SW PIN上接一个 2.2~10Ω的电阻 R2（如原理图红圈），再串接一个 1n~10nF 的陶瓷电容 C4到 GND，来抑制开关杂讯。具体的阻值和容值需要使用者对应具体的线路作调试。常规来说，推荐4.7Ω 和 1nF 的组合。R2 和 C4 要贴近SW脚与IC的GND位置来放置。另外，输入端可预留π型电路以及IC输入脚并一个10uF陶瓷电容，均有利于辐射通过。

布局方面建议输入电容尽量靠近VIN脚，最好增放一个2.2~10uF/50V的陶瓷电容靠近IC VIN脚，且要与IC GND靠近；另外电路回路尽量短，整板的地尽量少分割。

 

Ripple & Noise：

Ripple Voltage = ΔI * ESR

另外ripple & noise的测试，建议使用以下业界标准： 示波器频宽设为20MHz；输出端加上100nF陶瓷电容与10uF/50V电解电容，测量方式如下图所示。

                 

 

散热建议：

SP3313是SOP8封装的DC/DC，当用于车充产品时，插入点烟器请尽量利用电源的负极弹片来帮助产品散热，并可以考虑增加弹片与GND的焊接面积，这样弹片在作为负极输入的同时，也可以是系统的一个极好的散热片。

如果板子体积小，可适当增加开窗，加强散热效果。